ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ КОМПЛЕКСНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРИСТАЛЛАХ LiNbO3 РАЗНОГО СОСТАВА И ГЕНЕЗИСА

Методом ИК-спектроскопии поглощения в области валентных колебаний ОН–-групп исследованы кристаллы LiNbO3конг, LiNbO3стех, LiNbO3стех(6,0 мас. % K2O), LiNbO3 : Mg (5,29 мол. % MgО), LiNbO3: Gd (0,003) : Mg (0,65 мас. %). Установлено: полосы поглощения на ИК-спектре можно отнести к двум группам. К первой группе относятся полосы поглощения в диапазоне частот 3465–3488 см–1, связанные с нарушением стехиометрии в кристалле из-за наличия точечных дефектов (VLi, NbLi) и образованных с ними комплексных дефектов VLi-ОН, NbLi-ОН. Ко второй группе относятся полосы поглощения в диапазоне частот 3490–3590 см–1, связанные с изменением механизма вхождения легирующей примеси в структуру кристалла и образования комплексных дефектов (MеNb-ОН, MеLi-ОН-MеNb).